Hệ thống laser của Lecheng giúp giảm vùng chết trong các mô-đun perovskite đến 30%
Khắc vạch đa tia chính xác với khả năng theo dõi quỹ đạo thời gian thực
Hệ thống laser của Lecheng tích hợp công nghệ khắc đa tia tiên tiến (hỗ trợ tối đa 24 tia) với khả năng theo dõi quỹ đạo thời gian thực để giảm thiểu vùng chết – các khu vực không hoạt động giữa các dải tế bào làm giảm hiệu suất mô-đun. Các hệ thống truyền thống yêu cầu khoảng cách rộng hơn (≥200μm) để bù trừ biến dạng chất nền và lỗi căn chỉnh, nhưng hệ thống bù trừ dựa trên thị giác của Lecheng tự động điều chỉnh đường khắc P2 và P3 dựa trên vị trí thực tế của đường P1. Điều này giúp giảm khoảng cách giữa các tế bào xuống ≤150μm trong khi vẫn duy trì khả năng cách điện. Máy quét điện kế của hệ thống đạt độ chính xác định vị ±5μm ở tốc độ lên đến 8.000 mm/s, đảm bảo tạo mẫu nhất quán trên chất nền 2,4m × 1,2m. Bằng cách đồng bộ hóa các xung laser với chuyển động của chất nền, Lecheng loại bỏ các khoảng trống chồng chéo và các bất thường ở cạnh gây ra tổn thất vùng chết.
Công nghệ theo dõi tiêu điểm cho các bề mặt nền có địa hình khác nhau.
Những thách thức về tính đồng nhất của lớp perovskite—như sự biến đổi độ dày (±0,5μm) và sự cong vênh do xử lý nhiệt—có thể gây ra hiện tượng mất nét trong các hệ thống laser thông thường, làm rộng các đường khắc và mở rộng vùng chết. Lecheng giải quyết vấn đề này bằng các mô-đun tự động lấy nét duy trì độ sâu tiêu cự nhất quán trong phạm vi ±2μm trên toàn bộ chất nền. Các cảm biến tam giác laser liên tục lập bản đồ chiều cao bề mặt, tự động điều chỉnh vị trí trục Z để đảm bảo kích thước điểm chùm tia tối ưu (≤20μm) ngay cả trên các bề mặt cong hoặc không bằng phẳng. Điều này rất quan trọng đối với các mô-đun perovskite linh hoạt trên chất nền PET, nơi sự biến dạng trong quá trình xử lý R2R có thể làm tăng vùng chết lên đến 25%. Bằng cách ổn định chiều rộng và độ sâu của đường khắc, công nghệ của Lecheng giảm diện tích vùng chết xuống 30% so với các hệ thống lấy nét cố định.
Kiểm soát quy trình thích ứng để tối ưu hóa vật liệu cụ thể
Hệ thống của Lecheng sử dụng điều khiển thông số laser thích ứng để xử lý các biến thể trong thành phần lớp perovskite và các vật liệu liền kề (ví dụ: TCO, HTL, ETL). Bằng cách giám sát năng lượng theo thời gian thực và phản hồi vòng kín, thiết bị điều chỉnh thời lượng xung (từ nano giây đến pico giây), bước sóng (tia cực tím đến tia hồng ngoại) và mật độ năng lượng để đạt được sự khắc sạch mà không gây hư hại phụ. Ví dụ, việc khắc P2 yêu cầu kiểm soát độ sâu chính xác để loại bỏ lớp perovskite và HTL/ETL mà không gây hư hại quá mức cho lớp TCO (<20% độ dày lớp), trong khi P3 phải loại bỏ các điện cực kim loại mà không gây đoản mạch. Bằng cách tối ưu hóa các thông số này cho từng lớp vật liệu—và cho phép chuyển đổi nhanh chóng giữa các công thức—Lecheng giảm thiểu vùng ảnh hưởng nhiệt (HAZ < 1μm) và ngăn ngừa các vết nứt nhỏ làm mở rộng vùng chết theo thời gian. Cách tiếp cận nhận biết vật liệu này là chìa khóa để duy trì vùng chết ≤150μm trong sản xuất hàng loạt.
Sự kết hợp giữa theo dõi quỹ đạo, bám sát tiêu điểm và điều khiển laser thích ứng của Lecheng tạo ra hiệu ứng cộng hưởng, giúp giảm vùng chết đến 30%. Điều này không chỉ giúp tăng hiệu suất mô-đun mà còn giảm chi phí sản xuất bằng cách tối đa hóa việc sử dụng diện tích hoạt động – một lợi thế quan trọng trong thị trường năng lượng mặt trời perovskite cạnh tranh.
