Các sản phẩm

Sản phẩm nổi bật

Liên hệ chúng tôi

Ứng dụng công nghệ khắc sâu bằng laser LIDE trong đóng gói MEMS

2025-09-14

Ứng dụng công nghệ khắc sâu bằng laser LIDE trong đóng gói MEMS

Với sự đổi mới liên tục của công nghệ MEMS, các thiết bị MEMS được sử dụng rộng rãi trong điện tử tiêu dùng, thiết bị y tế và hàng không vũ trụ, mang lại giá trị đáng kể nhờ kích thước nhỏ gọn, tốc độ cao, độ tin cậy và chi phí thấp. Đóng gói MEMS là một bước quan trọng trong quá trình phát triển thiết bị MEMS. Đóng gói MEMS (Hệ thống Vi cơ điện tử) bao gồm quá trình niêm phong và bảo vệ thiết bị MEMS, cung cấp các kết nối điện đồng thời bảo vệ thiết bị khỏi các tác động của môi trường. Quá trình đóng gói có thể chiếm từ 20% đến 95% chi phí sản xuất sản phẩm.


01 Kính là vật liệu ưu tiên cho sản xuất MEMS

Những đổi mới trong công nghệ xử lý wafer thủy tinh đang thúc đẩy những tiến bộ trong công nghệ MEMS. Các wafer thủy tinh được sử dụng trong đóng gói wafer MEMS và đóng vai trò là chất nền thay thế cho wafer silicon trong một số sản phẩm điện tử. Cảm biến MEMS thể hiện độ tin cậy cao và hiệu suất lâu dài ngay cả trong môi trường khắc nghiệt. Vật liệu thủy tinh thường được sử dụng làm chất nền trong công nghệ đóng gói MEMS, khiến wafer thủy tinh trở thành lựa chọn lý tưởng cho nhiều ngành công nghiệp và ứng dụng khác nhau.

02 Ưu điểm của kính trong sản xuất và đóng gói MEMS

Thủy tinh là vật liệu được ưa chuộng cho bao bì MEMS nhờ độ kín khí cao, độ ổn định nhiệt, tính chất quang học, khả năng kháng hóa chất, cách điện cao và khả năng gia công. Độ bền của thủy tinh đảm bảo khả năng bảo vệ lâu dài cho các thiết bị MEMS.


Tính chất quang học

Thủy tinh trong suốt, lý tưởng cho các thiết bị MEMS cần cảm biến hoặc kích hoạt quang học. Nó có thể được phủ bằng nhiều loại vật liệu màng mỏng khác nhau, chẳng hạn như kim loại hoặc oxit, để điều chỉnh các đặc tính quang học. Ngoài ra, bề mặt cực kỳ nhẵn mịn của nó là một lựa chọn tuyệt vời cho phản xạ quang học.


Đóng gói và đóng gói

  • Độ kín khí cao: Kính có khả năng bịt kín tuyệt vời, ngăn chặn hơi ẩm và các chất gây ô nhiễm khác xâm nhập vào thiết bị MEMS, do đó nâng cao độ tin cậy và tuổi thọ.


  • Khả năng kháng hóa chất đặc biệt:Kính có khả năng chống ăn mòn hóa học cao, khiến nó trở thành vật liệu tuyệt vời để bảo vệ các thiết bị MEMS trong môi trường hóa chất khắc nghiệt.


  • Sức mạnh cơ học: Kính tương đối bền và chắc chắn, bảo vệ các thiết bị MEMS khỏi ứng suất cơ học. Không giống như kim loại hoặc các vật liệu khác, kính không bị ảnh hưởng bởi hiện tượng mỏi, do đó phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi độ tin cậy cao trong thời gian dài.



  • Không giống như silicon, thủy tinh có khả năng cách điện cao và hệ số giãn nở nhiệt (CTE) cũng như độ bền cơ học của nó có thể được điều chỉnh trong một phạm vi nhất định.



Kết nối với Vias xuyên kính (TGV)

  • Kết nối mật độ cao hơn: TGV cho phép kết nối mật độ cao, cho phép chế tạo các thiết bị MEMS phức tạp hơn và kích thước nhỏ gọn hơn. Điều này là do tỷ lệ khung hình cao của các lỗ xuyên TGV, tạo điều kiện cho kết nối theo chiều dọc xuyên qua lớp nền thủy tinh.



  • Laser-induced deep etching

  • Độ tin cậy được cải thiện: TGV cung cấp kết nối đáng tin cậy hơn so với liên kết dây hoặc liên kết flip-chip. Độ dài đường truyền ngắn hơn của TGV giúp giảm độ trễ tín hiệu và nhiễu điện từ (EMI).



  • Độ ổn định nhiệt: TGV tản nhiệt hiệu quả từ các thiết bị MEMS bằng cách dẫn nhiệt qua lớp nền thủy tinh ra bên ngoài bao bì. Điều này cải thiện đáng kể khả năng quản lý nhiệt của các thiết bị MEMS và kéo dài tuổi thọ của chúng.



  • Tính linh hoạt trong bao bì: TGV tương thích với nhiều phương pháp kết nối khác nhau, mang lại tính linh hoạt cao hơn trong thiết kế bao bì MEMS. Điều này cho phép tích hợp nhiều cảm biến, bộ truyền động và các thành phần khác vào một gói duy nhất.



  • Ultra-thin glass processing

  • Hiệu suất quang học được cải thiện: TGV có thể được sản xuất hàng loạt với đường kính nhỏ, cho phép tích hợp với sợi quang hoặc các thành phần quang học khác. Điều này tạo điều kiện thuận lợi cho việc kết hợp các thiết bị MEMS với chức năng cảm biến quang học hoặc chức năng truyền động.

  • MEMS sensors reliability

03 Quy trình LPKF LIDE của Đức cải thiện đáng kể hiệu quả xử lý kính mỏng

Tấm kính mỏng từ 50 μm đến 1.000 μm có tiềm năng to lớn cho nhiều ứng dụng công nghiệp khác nhau. Tuy nhiên, các quy trình cắt và khoan cơ học truyền thống thường để lại các vết nứt siêu nhỏ và ứng suất dư bên trong trên bề mặt kính, khiến việc gia công kính mỏng ở cấp độ vi mô trở nên khó khăn. Hệ thống laser LPKF Vitrion, sử dụng công nghệ LIDE (Khắc sâu bằng laser) mới nhất, cho phép gia công laser chính xác không tiếp xúc trên vật liệu kính với hiệu suất và chất lượng chưa từng có. Quy trình LIDE mở ra những khả năng thiết kế mới trong các hệ thống vi mô và có tiềm năng cách mạng hóa toàn bộ chuỗi công nghiệp.


Công nghệ LIDE chỉ cần hai bước để giải quyết những thách thức này:

  1. Sửa đổi Laser có chọn lọc: Dựa trên mẫu thiết kế, kính được biến đổi chọn lọc bằng nguồn laser được phát triển đặc biệt. Tia laser được tập trung bên trong thành phần kính, đạt được độ dày hoàn hảo.



  2. Khắc hóa học: Tia laser làm thay đổi các đặc tính quang hóa của vật liệu, cho phép khắc hóa học chọn lọc trong quá trình tiếp theo. Tốc độ khắc của các vùng được biến đổi cao hơn đáng kể so với vật liệu chưa biến đổi. Thời gian thủy tinh nằm trong bể khắc được kiểm soát chính xác để đạt được kích thước cấu trúc mong muốn.

  3. Laser-induced deep etching

04 Ứng dụng của LPKF LIDE trong MEMS

Quy trình LIDE cho phép tạo ra các hệ thống vi mô thủy tinh không khuyết tật, giữ nguyên độ bền gãy cao của vật liệu ban đầu, đồng thời thể hiện độ đàn hồi cao với độ lặp lại tuyệt vời. Khả năng này cho phép tích hợp các cấu trúc như lò xo, màng dọc hoặc màng ngang, và các thành phần truyền động hoặc cảm biến.


  • Đo lường cảm biến lực-độ dịch chuyển:


    • Hệ thống lò xo thủy tinh được xử lý bằng LIDE.


    • Cấu trúc lò xo siêu nhỏ có mặt cắt ngang là 30 μm × 260 μm và kích thước nền XY là 5 mm × 7 mm.


    • Hệ thống XY có phạm vi dịch chuyển trục Z lên tới 4,3 mm.


    • Độ lặp lại cao và độ bền gãy khoảng 1 GPa.



    • Ultra-thin glass processing

  • Đo phản xạ quang học của ổ đĩa chải xuyên tâm:


    • Hai tấm kính có cấu trúc vi mô và màng kim loại phun được xếp chồng lên nhau.


    • Cấu trúc lược có khe hở rộng 5 μm.


    • Hệ thống phản xạ quang học được điều khiển bằng áp điện đạt được độ lệch góc ngoài mặt phẳng là ±3,1° ở tần số 220 Hz.


    • Diện tích phản xạ quang học là 7 mm × 7 mm.

  • MEMS sensors reliability

  • Laser-induced deep etching

  • Ultra-thin glass processing



Từ khóa SEO cốt lõi

  1. Khắc laser LIDE


  2. Công nghệ đóng gói MEMS


  3. Tuyến xuyên kính (TGV)


  4. MEMS nền thủy tinh


  5. Khắc sâu bằng laser


  6. Đóng gói kín MEMS


  7. Gia công kính siêu mỏng


  8. Hệ thống LPKF Vitrion


  9. Độ tin cậy của cảm biến MEMS


  10. Kính xen kẽ MEMS



  • Phương pháp xóa cạnh bằng laser P4 cho pin mặt trời perovskite
    Phương pháp xóa cạnh bằng laser P4 cho pin mặt trời perovskite
    Lecheng Intelligent cung cấp giải pháp xóa vùng chết bằng laser P4 ổn định cho pin mặt trời perovskite, giúp khách hàng đạt được khả năng cách ly vùng chết sạch hơn, khả năng tương thích đóng gói tốt hơn và độ tin cậy của mô-đun được cải thiện. Trang này nêu bật cách Lecheng tiếp cận quy trình xử lý laser P4 trong sản xuất pin quang điện perovskite với sự tập trung mạnh mẽ hơn vào chất lượng vùng chết, kiểm soát vùng chết và tính nhất quán hướng đến sản xuất.
    Hơn
  • Khắc laser P3 cho pin mặt trời perovskite
    Khắc laser P3 cho pin mặt trời perovskite
    Lecheng cung cấp giải pháp khắc laser P3 cho pin mặt trời perovskite, giúp đạt được sự tách tế bào sạch, chất lượng đường kẻ ổn định và tích hợp mô-đun tốt hơn. Thích hợp cho nghiên cứu trong phòng thí nghiệm, dây chuyền thí điểm và sản xuất quang điện quy mô lớn.
    Hơn
  • Khắc laser P2 cho pin mặt trời perovskite
    Khắc laser P2 cho pin mặt trời perovskite
    Nếu bạn muốn tìm hiểu sâu hơn về logic kỹ thuật đằng sau việc tích hợp P1, P2, P3 và P4 cũng như cấu hình dây chuyền hoàn chỉnh, hãy truy cập trang Dây chuyền sản xuất laser perovskite liên quan của chúng tôi. Bài viết nội bộ này giúp tăng cường tính liên quan của chủ đề về khắc laser P2 cho pin mặt trời perovskite, xử lý laser perovskite và các giải pháp dây chuyền thí điểm perovskite.
    Hơn
  • Khắc laser P1 cho pin mặt trời perovskite
    Khắc laser P1 cho pin mặt trời perovskite
    Lecheng Intelligent cung cấp giải pháp khắc laser P1 ổn định cho pin mặt trời perovskite, giúp khách hàng đạt được sự cách ly lớp dẫn điện sạch sẽ, độ đồng nhất đường kẻ tốt hơn và khả năng tương thích quy trình mạnh mẽ hơn cho nghiên cứu trong phòng thí nghiệm, dây chuyền thí điểm và sản xuất quy mô lớn. Trang này nêu bật cách Lecheng tiếp cận việc tạo mẫu laser ở giai đoạn đầu trong sản xuất quang điện perovskite với sự tập trung mạnh mẽ hơn vào độ chính xác, bảo vệ chất nền và tính liên tục của quy trình tiếp theo.
    Hơn
  • Giải pháp kiểm tra độ ổn định quang điện trong không gian
    Giải pháp kiểm tra độ ổn định quang điện trong không gian
    Giải pháp kiểm tra độ ổn định tích hợp cho các mô-đun quang điện vũ trụ, được thiết kế để đặc trưng hóa điện, chu kỳ nhiệt, xác thực độ tin cậy dài hạn và đánh giá quang điện đạt tiêu chuẩn hàng không vũ trụ.
    Hơn
  • Giải pháp mô phỏng năng lượng mặt trời AM0
    Giải pháp mô phỏng năng lượng mặt trời AM0
    Giải pháp mô phỏng năng lượng mặt trời AM0 độ chính xác cao dành cho thử nghiệm quang điện trong không gian, nghiên cứu năng lượng mặt trời perovskite, đánh giá quang phổ và xác minh hiệu suất thiết bị năng lượng mặt trời tiên tiến. Lecheng Intelligent cung cấp các giải pháp mô phỏng năng lượng mặt trời AM0 theo định hướng quy trình cho khách hàng cần nhiều hơn thiết bị chiếu sáng cơ bản. Giải pháp của chúng tôi được thiết kế dựa trên độ chính xác quang phổ, độ đồng đều bức xạ, độ ổn định theo thời gian, định hình quang học và các chế độ thử nghiệm linh hoạt, giúp các nhóm nghiên cứu và nhà sản xuất xây dựng một nền tảng đáng tin cậy hơn cho việc thử nghiệm pin mặt trời trong không gian, thử nghiệm quang điện perovskite và đánh giá các thiết bị quang điện tiên tiến.
    Hơn

40px

80px

80px

80px

Được trích dẫn