Cách khắc laser P1-P4 của Lecheng giúp tăng hiệu quả của mô-đun perovskite.
Tạo mẫu chính xác để giảm thiểu vùng chết
Hệ thống khắc laser của Lecheng đạt được hiệu quả đột phá trong các mô-đun perovskite nhờ độ chính xác ở mức micromet trên cả bốn giai đoạn tạo mẫu. Quy trình P1 tạo ra các đường cách ly ban đầu với chiều rộng 20-50μm và độ thẳng ±5μm, loại bỏ lớp TCO một cách sạch sẽ mà không làm hỏng chất nền thủy tinh. Độ chính xác cơ bản này cho phép các quy trình P2 và P3 tiếp theo duy trì khoảng cách giữa các đường kẻ nhất quán 100-150μm, giảm vùng chết đến 30% so với các phương pháp thông thường. Công nghệ theo dõi quỹ đạo độc quyền của công ty tự động điều chỉnh đường dẫn P2/P3 dựa trên vị trí đường kẻ P1 thực tế, bù đắp cho những bất thường của chất nền thường buộc các nhà sản xuất phải tăng biên độ an toàn. Việc tối ưu hóa không gian này trực tiếp làm tăng diện tích sử dụng hoạt động, dẫn đến hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn 2-3% trong các mô-đun thương mại.
Quản lý nhiệt và bảo toàn tính toàn vẹn của lớp
Mỗi giai đoạn khắc đều sử dụng các thông số laser được điều chỉnh riêng để ngăn ngừa hư hỏng do nhiệt đối với các lớp perovskite nhạy cảm. Đối với quá trình tạo mẫu P2 xuyên qua lớp vận chuyển điện tích và lớp perovskite, laser picosecond xanh lục (532nm) của Lecheng giới hạn vùng ảnh hưởng nhiệt xuống <1μm đồng thời đảm bảo loại bỏ hoàn toàn vật liệu mà không làm hỏng lớp TCO bên dưới. Quá trình P3 sử dụng laser UV (355nm) để cách ly điện cực kim loại chính xác, đạt được sự khuếch tán nhiệt <0,5μm để tránh bong tróc hoặc nứt vi mô. Việc kiểm soát nhiệt này rất quan trọng để duy trì chất lượng giao diện và giảm tổn thất shunt, dẫn đến tỷ lệ lấp đầy gần 95% trong suốt vòng đời của mô-đun. Hệ thống làm mát tích hợp duy trì độ ổn định nhiệt độ ±0,5°C trong quá trình xử lý tốc độ cao, cho phép hoạt động 24/7 mà không làm giảm hiệu suất.
Tích hợp cách ly cạnh P4 để tăng cường độ tin cậy
Quá trình loại bỏ cạnh P4 hoàn tất chu trình tối ưu hóa hiệu suất bằng cách loại bỏ các đường dẫn rò rỉ ngoại vi. Laser sợi quang công suất cao (≥1.000W) của Lecheng loại bỏ các cặn bám ở cạnh với độ chính xác 100μm, tạo ra các rào cản cách điện ngăn ngừa rò rỉ dòng điện. Quá trình không tiếp xúc này tránh được các vết nứt nhỏ do ứng suất cơ học gây ra thường xảy ra với các phương pháp sử dụng lưỡi dao. Việc bịt kín cạnh này kết hợp với việc tạo hình P1-P3 chính xác giúp tạo ra các mô-đun có độ biến thiên hiệu suất <5% giữa các lô sản xuất, đạt được hiệu suất ổn định khoảng 18% cho các sản phẩm perovskite thương mại. Toàn bộ trình tự khắc được hoàn thành trong các hệ thống tự động duy nhất, giảm thiểu hư hỏng do thao tác và duy trì điều kiện phòng sạch trong suốt quá trình sản xuất.
Phương pháp khắc laser P1-P4 tích hợp của Lecheng thể hiện cách tiếp cận toàn diện để tối ưu hóa mô-đun perovskite, trong đó việc tạo hình chính xác, kiểm soát nhiệt và quản lý cạnh cùng nhau khai thác tối đa tiềm năng của công nghệ quang điện thế hệ thứ ba.
